お問合せ：https://ja.teledynelecroy.com/
講演企業：テレダイン・レクロイ
この動画は、第１５回パワエレフォーラムで講演された内容となります。
パワエレフォーラムについては、こちら→https://pwel.jp/articles/530
炭化ケイ素(４H-SiC)や窒化ガリウム(GaN)のようなワイドバンドギャップ半導
体は、従来のシリコン(Si)に比べて高い絶縁体圧や熱伝導率などの優れた特性
によりインバータなどの電力変換回路の高効率化、小型化を実現して普及がす
すんでいます。現在多くの企業や研究所において、さらなる性能向上を目指し
て研究開発が進められています。こうした半導体を用いた回路では、高電圧で
高速なスイッチング動作をするため、計測においても新たな計測技術が求めら
れています。特に、高電圧、広帯域、高CMRRという特性を持つプローブが理想
的です。また、スイッチング動作の詳細な解析のためJEDECの推奨するダブル
パルス法のような計測手法の重要性も高まっています。本セミナーにおいては
、テレダイン・レクロイが提案するプローブおよびパワーデバイス解析ソフト
ウェアを用いたパワエレ測定のご紹介をさせていただきます。
＜動画時間＞
0:35 ワイドバンドギャップ(WBG)半導体の復習
4:22 ワイドバンドギャップ半導体に対応するプローブ
10:16 ダブルパルス測定
13:15 パワーデバイス解析オプション
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