Bonjour,
Nous vous suggérons de mettre les sous-titres, nous allons examiner les Transistors Uni-Jonction :
Première partie de la dixième leçon – Les Transistors Uni-Jonction :
L’appareil de mesure à votre gauche, permet de mesurer entre l’Anode de la Diode et la Masse donc, nous avons 1,51 volt.
L’appareil de mesure à votre droite, permet de mesurer la tension entre la base et l’émetteur du transistor bipolaire ou entre la Cathode de la Diode et la Masse donc, nous avons 0,80 Volt.
Le transistor Uni-Jonction doit son nom au fait qu’il ne comporte qu’une seule jonction. Ce type de transistor est souvent repéré par le sigle UJT de l’anglais « Uni-Jonction Transistor ».
Cette propriété permet des emplois particuliers, parmi lesquels on peut citer les générateurs d’impulsions nécessaire à la commande des thyristors (transistors de commutation don’t nous étudierons les caractéristiques dans une des prochaines leçons « Semi-conducteurs »).
Pour comprendre le fonctionnement d’un transistor Uni-Jonction, il faut examiner sa structure, en se reportant à la figure 15-a. La figure 15-b, représente le symbole schématique adopté pour la représentation de l’UJT.
Ce composant est principalement constitué d’une Barrette de Silicium N, aux extrémités de laquelle sont disposés deux contacts, appelés « première base (B1) et deuxième base (B2) ». Ces contacts sont du type purement ohmique, c’est-à-dire, qu’entre eux et la barrette de silicium, il n’existe aucune Jonction.
L’unique jonction PN se trouve entre la barrette et l’électrode E, correspondant à l’émetteur. Cette électrode se trouve placée plus près de la deuxième base que la première, comme on peut le voir sur la figure 15-a.
La barrette de silicium N, possède les caractéristiques normales d’une résistance et sa valeur est comprise entre 5 ohms et 10 Kilo-ohms.
On applique une tension « VBB » entre les deux bases de façon à rendre la seconde positive par rapport à la première. Sous l’effet de cette tension, la « Barrette de Silicium N » est parcourue par un courant constitué d’électrons, se dirigeant de la première base vers la seconde.
Sous l’effet de cette résistance présentée par la barrette, le courant produit une chute de tension dans celui-ci.
Pour bien voir comment s’effectue la répartition de la tension le long de la barrette, on représente le transistor comme indiqué figure 16.
Au moyen des résistances R1 et R2, on insère la résistance du silicium entre la Première Base et l’émetteur, et entre ce dernier et la Seconde Base.
Sur la figure 16, on indique par V1, la chute de tension aux bornes de R1 (tension présente sur la cathode de la diode).
En appliquant sur l’anode, une tension « VE » inférieure à « V1 », la diode est polarisée dans le sens inverse et le courant ne peut circuler. Par contre, si « VE » a une valeur supérieure à « V1 », la diode est polarisée dans le sens direct ; dans ce cas, un courant d’émetteur « IE » circule dans le sens indiqué figure 16.
Ce Courant est essentiellement Constitué de Trous se Dirigeant de la Barrette vers la Première Base.
Ces trous sont l’équivalent des électrons présents dans la zone comprise entre l’émetteur et la première base, zone où se produit une augmentation du nombre des porteurs. Cela signifie que la résistance de cette zone est réduite et, par conséquent, elle peut être traversée par un courant plus élevé, en provenance de l’émetteur.
Or, un courant d’émetteur plus intense, introduit un plus grand nombre de porteurs et provoque une nouvelle diminution de la résistance. Il en résulte un courant encore plus intense, donc une nouvelle diminution de la résistance et ainsi de suite.
On peut penser que le courant augmente jusqu’à atteindre des valeurs extrêmement élevées ; or, il n’en est rien car en même temps que le courant augmente, la tension d’émetteur diminue. Ce fait est facilement contrôlable en relevant les caractéristiques, indiquant comment varie la tension d’émetteur « VE », en fonction du courant « IE ».
Ces caractéristiques sont représentées figure 17. Chacune d’elles se réfère à une valeur particulière de la tension VBB.
Considérons par exemple la courbe relative à VBB = 15 Volts.
Pour une valeur nulle du courant IE, la courbe présente un trait vertical, correspondant au moment où la jonction entre l’émetteur et la barrette de silicium est polarisée inversement.
Lorsque la tension « VE » atteint une valeur d’environ 10 Volts, cette même jonction se trouve polarisée dans le sens direct et par conséquent, le courant d’émetteur commence à circuler. A mesure que ce courant augmente d’intensité, la tension VE diminue et se rapproche de l’axe horizontal.
Lorsqu’un élément se comporte de cette façon, on dit qu’il présente une résistance négative.
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Daniel