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🏮【科技大哉問EP138】三星環繞閘極(GAA)製程大解密！下一代的製程台積電真的還能領先嗎？🏮
00:00 開場大綱 | Introduction
01:55 鰭式場效電晶體(FinFET)原型架構的誕生
05:04 三星電子率先在3奈米製程節點採用環繞閘極(GAA)架構
07:06 電子顯微鏡(SEM)與能量色散X射線光譜(EDS)
08:55 三星Galaxy Watch 7拆解分析大解密
09:26 聚焦離子束顯微鏡(FIB)應用在晶片分析
13:13 穿透式電子顯微鏡(TEM)分析三星環繞閘極(GAA)技術
17:56 三星環繞閘極(GAA)電子通道的關鍵尺寸(CD)
21:27 三星環繞閘極(GAA)的能量色散X射線光譜映射(EDS Mapping)
23:08 結論 | Conclusion
【資料來源】
汎銓科技(MSScorps)發表在電子工程專輯(EDN Taiwan)
環繞式閘極(GAA)：解決漏電的終極方案？
https://www.edntaiwan.com/20241016nt71-gaa-the-ultimate-solution-to-leakage/
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